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標(biāo)題: . [打印本頁]
      

      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-1 16:10
      
標(biāo)題: .
       本帖最后由 天空 于 2018-11-4 19:58 編輯 
      

      
.
      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-1 16:13
      
 本帖最后由 天空 于 2018-11-4 19:58 編輯 
      

      
.
      
作者: 那一刻    時(shí)間: 2015-10-1 21:04
      
 本帖最后由 那一刻 于 2017-2-18 12:15 編輯 
      

      抱歉，已刪除！
      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-2 04:52
      

      那一刻 發(fā)表于 2015-10-1 21:04
      
這個(gè)兩個(gè)“公式”是權(quán)力機(jī)構(gòu)隨機(jī)硬性規(guī)定的一個(gè)界限，不是推導(dǎo)出來的，就好比三八線一樣。
      
這樣規(guī)定是為 ...

      
我覺得b≧2λs/D 后者應(yīng)該是聲束的寬度 這個(gè)公式主要是保證了 試塊中的通孔長(zhǎng)度大于聲束的寬度 保證參考反射體都是長(zhǎng)橫孔
      
作者: 大陸    時(shí)間: 2015-10-2 15:26
      
第一個(gè)公式以前姚志忠老師講過，主要是考慮在聲程S試塊寬度不小于該處聲束寬度。
      
第二個(gè)化式是晶片邊緣與工件間間隙小于0.5mm時(shí)聲壓與平板聲壓比下降值可以忽略不計(jì)，大約小于3dB.按此推導(dǎo)出的公式即是上面的公式
      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-2 15:33
      

      大陸 發(fā)表于 2015-10-2 15:26
      
第一個(gè)公式以前姚志忠老師講過，主要是考慮在聲程S試塊寬度不小于該處聲束寬度。
      
第二個(gè)化式是晶片邊緣與工 ...

      
您好，“晶片邊緣與工件間間隙小于0.5mm時(shí)聲壓與平板聲壓比下降值可以忽略不計(jì)，大約小于3dB”我覺得很有道理，請(qǐng)問這句話出自哪里？非常感謝您的回復(fù)！
      
作者: 那一刻    時(shí)間: 2015-10-2 22:34
      
 本帖最后由 那一刻 于 2017-2-18 12:15 編輯 
      

      抱歉，已刪除！
      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-3 05:54
      

      那一刻 發(fā)表于 2015-10-2 22:34
      
昨天就算過了，在b=2λs/D的時(shí)候，試塊中的通孔長(zhǎng)度小于聲束的寬度；
      
我猜管理層的意思是：不能短，差不 ...

      


      
b是試塊的寬度也就是橫通孔的長(zhǎng)度，2λs/D是聲束的水平寬度
      
b≧2λs/D  說明橫通孔長(zhǎng)度大于聲束的水平寬度 不是小于
      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-3 13:29
      

      天空 發(fā)表于 2015-10-3 05:54
      
b是試塊的寬度也就是橫通孔的長(zhǎng)度，2λs/D是聲束的水平寬度
      
b≧2λs/D  說明橫通孔長(zhǎng)度大于聲束的水平寬 ...

      
老師已經(jīng)解答了這個(gè)問題 ，以下部分為老師回復(fù)：
      
謝謝提問！
      
 公式R≤W的平方/4是推導(dǎo)出來的，考慮楔塊邊緣與工件間最大間隙不大于0.5mm。
      

      
b≧2λs/D 中的2λs/D是代表的聲束的水平寬度。
      

      
 新的CSK-IIA試塊的寬度在設(shè)計(jì)時(shí)盡可能滿足 b≧2λs/D  。
      

      
 新標(biāo)準(zhǔn) 是想將長(zhǎng)橫孔統(tǒng)一作為試塊中的參考反射體。
      

      
作者: wuyongshou    時(shí)間: 2015-10-6 19:21
      
根據(jù)UT教材P61頁用相似三角形計(jì)算出來的
      
作者: wuyongshou    時(shí)間: 2015-10-6 19:28
      
哪有什么三八線的說法！都有理論依據(jù)的
      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-6 19:32
      

      wuyongshou 發(fā)表于 2015-10-6 19:21
      
根據(jù)UT教材P61頁用相似三角形計(jì)算出來的

      
斜探頭水平聲束的求法 我并不贊同你套用直探頭聲場(chǎng)列式 
      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-6 19:46
      

      wuyongshou 發(fā)表于 2015-10-6 19:21
      
根據(jù)UT教材P61頁用相似三角形計(jì)算出來的

      
特種設(shè)備的教材將直探頭聲場(chǎng)的 未擴(kuò)散區(qū) 列式為1.64N 實(shí)際直探頭聲場(chǎng)的未擴(kuò)散區(qū)是 1N 左右，還有限制條件“對(duì)于反射體的直徑必須大于壓電晶片面積的百分之六十” 
      
實(shí)際這個(gè)公式的推導(dǎo)  至少我的方法比較復(fù)雜 所以這里不在列舉
      
作者: yanyingjuanli    時(shí)間: 2015-10-7 19:35
      

      大陸 發(fā)表于 2015-10-2 15:26
      
第一個(gè)公式以前姚志忠老師講過，主要是考慮在聲程S試塊寬度不小于該處聲束寬度。
      
第二個(gè)化式是晶片邊緣與工 ...

      
樓主確定是小于0.5mm？
      

      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-7 20:34
      

      yanyingjuanli 發(fā)表于 2015-10-7 19:35
      
樓主確定是小于0.5mm？

      
是的
      
作者: yanyingjuanli    時(shí)間: 2015-10-7 23:13
      

      天空 發(fā)表于 2015-10-7 20:34
      
是的

      
樓主厲害
      

      
作者: 丁偉臣    時(shí)間: 2015-10-14 21:33
      

      天空 發(fā)表于 2015-10-1 16:13
      
首先是曲率半徑R≤W(平方)/4 怎么推導(dǎo)出來的
      
然后試塊寬度為什么要b≧2λs/D 意義是什么？ ...

      
問題一：確實(shí)是采用間隙推導(dǎo)而出，但是不是應(yīng)該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護(hù)膜等情形？
      
問題二：引自EN 583規(guī)范，這是具備長(zhǎng)橫孔反射特性的條件，但是大家知道我們有6分貝擴(kuò)散角還有20分貝擴(kuò)散角....，到底應(yīng)該用哪個(gè)角度？為何？
      

      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-16 08:27
      
丁老師您好，這兩個(gè)問題我是這么看待的，您看是否正確。
      
第一個(gè)問題：
      
確實(shí)是采用間隙推導(dǎo)而出，但是不是應(yīng)該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護(hù)膜等情形？
      
我認(rèn)為這個(gè)問題的前提應(yīng)該是：在采用相同耦合劑，相同晶片保護(hù)膜等一系列相同的參數(shù)條件下，平板對(duì)接時(shí)探頭接收的回波聲壓分貝數(shù)比晶片邊緣與工件間間隙大于0.5mm時(shí)探頭接收的回波聲壓數(shù)高出了至少3分貝，此時(shí)應(yīng)該考慮采用同曲率的試塊制作DAC曲線。
      
第二個(gè)問題：
      
引自EN 583規(guī)范，這是具備長(zhǎng)橫孔反射特性的條件，但是大家知道我們有6分貝擴(kuò)散角還有20分貝擴(kuò)散角....，到底應(yīng)該用哪個(gè)角度？為何？
      
我認(rèn)為這里的擴(kuò)散角并不是從6dB、20dB考慮的，特種設(shè)備第二版將擴(kuò)散角分為兩種，您問題中提到的是與聲壓幅值有關(guān)的擴(kuò)散角。
      
而根據(jù)公式2λs/D逆向推導(dǎo)，這個(gè)公式推導(dǎo)出來的擴(kuò)散角是“第一零值發(fā)散角”
      

      
作者: 天空    時(shí)間: 2015-10-16 08:27
      
丁老師您好，這兩個(gè)問題我是這么看待的，您看是否正確。
      
第一個(gè)問題：
      
確實(shí)是采用間隙推導(dǎo)而出，但是不是應(yīng)該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護(hù)膜等情形？
      
我認(rèn)為這個(gè)問題的前提應(yīng)該是：在采用相同耦合劑，相同晶片保護(hù)膜等一系列相同的參數(shù)條件下，平板對(duì)接時(shí)探頭接收的回波聲壓分貝數(shù)比晶片邊緣與工件間間隙大于0.5mm時(shí)探頭接收的回波聲壓數(shù)高出了至少3分貝，此時(shí)應(yīng)該考慮采用同曲率的試塊制作DAC曲線。
      
第二個(gè)問題：
      
引自EN 583規(guī)范，這是具備長(zhǎng)橫孔反射特性的條件，但是大家知道我們有6分貝擴(kuò)散角還有20分貝擴(kuò)散角....，到底應(yīng)該用哪個(gè)角度？為何？
      
我認(rèn)為這里的擴(kuò)散角并不是從6dB、20dB考慮的，特種設(shè)備第二版將擴(kuò)散角分為兩種，您問題中提到的是與聲壓幅值有關(guān)的擴(kuò)散角。
      
而根據(jù)公式2λs/D逆向推導(dǎo)，這個(gè)公式推導(dǎo)出來的擴(kuò)散角是“第一零值發(fā)散角”
      

      
作者: cyf7878    時(shí)間: 2016-6-30 23:58
      

      天空 發(fā)表于 2015-10-2 04:52
      
我覺得b≧2λs/D 后者應(yīng)該是聲束的寬度 這個(gè)公式主要是保證了 試塊中的通孔長(zhǎng)度大于聲束的寬度 保證參考 ...

      
我和你的理解是一樣的
      





      

      

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