渦流測厚探頭的溫度影響及對(duì)策研究

渦流測厚探頭的溫度影響及對(duì)策研究
汪冬兵
(南京優(yōu)悅科技有限公司，  江蘇南京甘家巷400號(hào)，210033)

摘要： 對(duì)在用冷換設(shè)備管束進(jìn)行渦流檢測，管壁測厚目前在各種標(biāo)準(zhǔn)中都沒有具體要求。其精確度的影響因素較多，溫度影響是最難消除的因素之一。我們通過理論分析并通過大量實(shí)踐改進(jìn)，完全消除了這一關(guān)鍵問題。
關(guān)鍵詞：換熱管束   渦流測厚   溫度影響    檢測探頭
一、前言
在冷換設(shè)備列管的在役檢測中，雖然JB4730和ASME標(biāo)準(zhǔn)中都對(duì)渦流探傷制訂了驗(yàn)收和技術(shù)要求，但并沒有對(duì)渦流測厚進(jìn)行要求。而冷換設(shè)備換熱管束腐蝕減薄確是一直存在的腐蝕問題。對(duì)此，我們經(jīng)過二十多年的檢測工作，已將渦流測厚技術(shù)掌握并發(fā)展較為成熟。由于渦流測厚檢測速度快，測量精度高，并能立刻給出檢測結(jié)果，尤其適用于換熱器列管數(shù)量多，停車時(shí)間短的特點(diǎn)，因而得到了較為廣泛的應(yīng)用。
就渦流測厚原理來說，其與一般的渦流探傷實(shí)質(zhì)上是完全一樣的。因此一般的多功能渦流檢測儀也完全適用。所不同的是采用的檢測參數(shù)和所用的檢測探頭不同。檢測參數(shù)可隨時(shí)調(diào)節(jié)，但檢測探頭必須要單獨(dú)設(shè)計(jì)制作。
設(shè)計(jì)測厚探頭的基本要求是既要滿足檢測對(duì)象的要求，又要與檢測儀器相匹配。在一般的渦流儀中，連接探頭的前端網(wǎng)絡(luò)為一個(gè)交流電橋線路，由于電橋的檢測靈敏度高，能將微小的探頭信號(hào)（一般為幾毫伏）有效地放大，而且對(duì)探頭的電阻和電感變化都能感受到，符合渦流信號(hào)的變化特點(diǎn)。在渦流測厚中，采用的是外比較式差動(dòng)線圈，參考探頭和檢測探頭分別連到橋路的兩臂，見下圖。

      



二、影響因素分析
1，由于壁厚的減薄是較均勻的緩慢變化，若采用探傷用的自比較線圈就無法得到信號(hào)，必須采用外比較線圈：將參考線圈置于標(biāo)準(zhǔn)管壁厚處（標(biāo)樣管內(nèi)），而將檢測線圈均勻地穿過被測管，從而得到兩個(gè)線圈的阻抗差，在其它條件相同時(shí)，阻抗變化就唯一地反映了管壁厚的差異，與標(biāo)準(zhǔn)壁厚相比即可得到被測管的壁厚絕對(duì)值。由于渦流儀的采樣速率很高，這一過程可看成是連續(xù)進(jìn)行的，壁厚的變化也是連續(xù)的，通過電腦進(jìn)行快速分析，將采集到的電壓信號(hào)與預(yù)先建立的壁厚值電壓方程進(jìn)行比較，實(shí)時(shí)得出每一點(diǎn)的壁厚值，最后只保留每一根管的最薄截面壁厚值即可。
為能檢測到管內(nèi)外壁厚的變化，必須有較大的滲透深度，即應(yīng)采用較低的檢測頻率，這樣還可使信號(hào)電壓與壁厚變化基本呈線性關(guān)系，使讀數(shù)更準(zhǔn)確。
還需說明，由于管壁內(nèi)渦流是由內(nèi)向外衰減的，還要考慮到探頭填充系數(shù)的變化，因此對(duì)于列管內(nèi)壁腐蝕減薄（內(nèi)徑增大，填充系數(shù)減小）和外壁腐蝕減薄，其渦流變化是不同的，因此對(duì)上述兩種情況，需要分別制作對(duì)比樣管。
2，影響檢測的因素
在實(shí)際檢測中，凡是能影響探頭阻抗變化的一切外部因素都會(huì)影響檢測結(jié)果。例如被測管的材質(zhì)差異，熱處理狀態(tài)不同，尺寸變化，探頭與管間隙大小，周圍電磁場影響，環(huán)境溫度變化，儀器零點(diǎn)漂移，電源的較大波動(dòng)等。
在以上諸多因素中，若選定了穩(wěn)定的儀器和探頭，并保證被測管材質(zhì)規(guī)格與對(duì)比樣管完全一致（甚至要求被測管與對(duì)比樣管為熱處理為同一爐批號(hào)），則影響測厚精度的主要原因就是環(huán)境的影響。而環(huán)境溫度的變化又是很重要又常被忽略的因素，本文著重討論溫度對(duì)測厚精度的影響及解決方法。
3，探頭的阻抗
   檢測探頭實(shí)際上是一個(gè)繞制在尼龍骨架上的線圈，由高強(qiáng)度漆包線繞制。其交流阻抗由電阻、感抗和容抗三部分組成，由于線圈的分布電容很小，一般忽略不計(jì)，因此阻抗由電阻和感抗矢量相加而成。
  其幅值為 ： Z  =  
以上只是線圈本身的阻抗，稱為空載阻抗。在實(shí)際檢測中，線圈中通有交流電流，通過電磁感應(yīng)，在被測管中也產(chǎn)生渦流，相當(dāng)于變壓器的次級(jí)線圈，通過電磁耦合也會(huì)對(duì)原線圈產(chǎn)生影響，使原線圈的阻抗發(fā)生變化，得到視在阻抗，詳見下式：
    Z =R1+  +J［ －  ］
從式中可看出，線圈在空氣中時(shí)表現(xiàn)出空載阻抗，插入被測管后，由于渦流的影響使其阻抗中的電阻分量增加，而電感分量減小，阻抗圖上由P。點(diǎn)變?yōu)镻1點(diǎn)。詳見下圖：
           
上式表明了渦流對(duì)檢測線圈阻抗的影響。但由于式中的許多量無法準(zhǔn)確得出，故在實(shí)用中視在阻抗無法準(zhǔn)確計(jì)算。我們通過對(duì)實(shí)際探頭的準(zhǔn)確測試，可知上式中的視在阻抗與線圈的空載阻抗實(shí)際上相差很小，即有了渦流的影響，只使原線圈阻抗改變了約0.5%~2% 。因此在對(duì)探頭進(jìn)行分析計(jì)算時(shí)，仍可采用線圈的空載阻抗。
4，橋路輸出的靈敏度
  根據(jù)對(duì)電橋線路的分析，當(dāng)橋路兩臂平衡時(shí)，其輸出為零。當(dāng)某一臂阻抗變化時(shí)，橋路失去平衡，有電壓信號(hào)輸出，經(jīng)放大檢波等處理即可送去顯示。
具體計(jì)算及分析如下：
                                   
如右圖，在無缺陷時(shí)電橋應(yīng)平衡：（式中Z為復(fù)數(shù)，下同）
      
  若Z3（檢測線圈）遇到缺陷，則變?yōu)閆3+ Z3，則電橋不平衡，輸出為
Ucd=Uac－Uad
  Ucd=[ － ]?E
化簡后，令     A稱為橋路比
        令K=      K稱為橋臂系數(shù)
        令  =    阻抗的相對(duì)變化量
則有   
由計(jì)算得知，信號(hào)輸出取決于三個(gè)因素：
a、        電源電壓 ，即儀器施加到橋路上的電壓，當(dāng)儀器選定參數(shù)設(shè)定后這一項(xiàng)不變。
b、        檢測線圈的阻抗相對(duì)變化率  ，當(dāng)被測管壁厚減薄一定時(shí)，取決于線圈本身及與被測管的耦合情況：即當(dāng)壁厚變化引起的線圈阻抗變化量一定時(shí)，若線圈阻抗 適當(dāng)小一些，則 較大，靈敏度較高；同時(shí)填充系數(shù) 越大越好。
c、        取決于橋臂系數(shù)
對(duì)復(fù)數(shù) 進(jìn)一步分析如下：
  
式中  是 的幅值
      － =  是 的相角
      為幅值    為相角


可看出：當(dāng) （等臂電橋）時(shí)， 取得極大值。
因檢測線圈為感性負(fù)載，故 取值在－90°～0°之間。
進(jìn)一步分析表明，當(dāng)線圈阻抗與橋路平衡電阻相等時(shí)，輸出達(dá)到極大值，當(dāng)然還應(yīng)考慮阻抗的性質(zhì)影響，并且這里所說的線圈阻抗應(yīng)為視在阻抗。

在實(shí)際的線圈繞制和反復(fù)的測試實(shí)驗(yàn)中，我們發(fā)現(xiàn)片面追求靈敏度沒有好處，只要能對(duì)標(biāo)樣管的不同壁厚值能明顯區(qū)分即可，否則又會(huì)帶來其它的不利影響（例如干擾信號(hào)增大和儀器的零點(diǎn)漂移嚴(yán)重）。因此，一般線圈的阻抗都小于平衡電阻，這樣線圈的溫度穩(wěn)定性會(huì)提高，同時(shí)， 和 較小也會(huì)使渦流引起的線圈阻抗變化率 較大，有利于提高靈敏度。
三、環(huán)境溫度的影響
   對(duì)于自比較式檢測線圈（探傷探頭）來說，由于兩個(gè)線圈靠在一起，線圈本身又參數(shù)相同，因而環(huán)境溫度的影響是相互抵消的。但對(duì)于外比較式測厚線圈來說，由于參考探頭放在標(biāo)樣管中， 而檢測探頭要插入被測管，在一般情況下影響不大，但有時(shí)因設(shè)備停車不久，溫度沒降下來，致使檢測探頭的溫度高于參考探頭；或由于寒風(fēng)吹而使置于管內(nèi)的檢測探頭溫度低于參考探頭，這都將給檢測帶來很大誤差，甚至由于光點(diǎn)迅速漂移而根本無法檢測。見下圖



我們在現(xiàn)場的實(shí)際檢測中已多次遇到這種情況，這時(shí)僅靠調(diào)節(jié)儀器平衡是沒用的，必須從探頭上找原因。
1，        分析
從前面分析可知，線圈的阻抗由感抗和純電阻組成，其中感抗ωL與線圈的形狀尺寸和頻率有關(guān)，溫度變化對(duì)它不會(huì)造成影響，而檢測線圈是用紫銅漆包線繞制而成，漆包線的電阻由線徑、長度和電阻率決定，而電阻率會(huì)因溫度的變化而變化，即由電阻溫度系數(shù)決定：
　
式中 為銅的電阻溫度系數(shù)，其值為   1/oC
當(dāng)環(huán)境溫度變化時(shí)，線圈的電阻也會(huì)發(fā)生變化，若參考線圈和檢測線圈處于不同的溫度下，其電阻也不同，因而兩線圈的阻抗也會(huì)發(fā)生變化，經(jīng)過放大后，就會(huì)產(chǎn)生測量誤差。
例如：某探頭線圈的阻抗值為50 歐姆，其中純電阻為30歐姆，當(dāng)環(huán)境溫度變化5℃，電阻就會(huì)變化0.6歐姆，總阻抗就會(huì)變化1.5％，幾乎相當(dāng)于管壁厚度變化引起的探頭阻抗改變，經(jīng)放大后，平衡點(diǎn)就會(huì)發(fā)生明顯偏移。
2，        改進(jìn)設(shè)計(jì)
檢測時(shí)盡可能保證檢測線圈與參考線圈所處的環(huán)境溫度相同，這樣可將溫度的影響減到最小。在無法消除溫度差時(shí)，就應(yīng)從根本上改進(jìn)探頭設(shè)計(jì)，使之對(duì)環(huán)境的溫度變化不敏感，從而保證檢測的順利進(jìn)行。
線圈的阻抗是由感抗和電阻疊加而成，受溫度影響的只是純電阻部分，因此，改進(jìn)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是既要保證線圈有足夠的阻抗值，又要使純電阻盡量小，也即盡量提高線圈的品質(zhì)因數(shù)，使 Q值 越大越好，使阻抗矢量盡可能靠近縱軸。
減小純電阻的措施有：適當(dāng)增大漆包線線徑；減少漆包線長度（減少線圈圈數(shù)n）。但減小線圈的圈數(shù)，同時(shí)也會(huì)使線圈的阻抗明顯減小（因線圈的電感與圈數(shù)的平方成正比）。為了保證電感不會(huì)明顯減小，一個(gè)有效的辦法是線圈內(nèi)加鐵芯，可用鐵氧體或純鐵制作鐵芯，通電后因磁通大大增加，從而使線圈的電感增加，導(dǎo)致阻抗增加，而線圈的純電阻并不增加，一般能使阻抗增大6～10倍。這就能有效地增大線圈的品質(zhì)因數(shù)。
關(guān)于探頭的外引線電阻也不可忽視，若被測管較長，引線電阻也會(huì)有明顯影響，我們在制作探頭時(shí)，往往將屏蔽電纜的雙股芯線并聯(lián)使用，可使截面積增大一倍，有效降低了這個(gè)電阻。
實(shí)例計(jì)算：
探頭1：      
      
     品質(zhì)因數(shù) Q=0.55
探頭2：        
      
     品質(zhì)因數(shù) Q=1.88
當(dāng)檢測探頭與參考探頭溫度相差5℃時(shí)，
         
對(duì)于探頭1：      
對(duì)于探頭2：      
可見，由于探頭的設(shè)計(jì)不同，品質(zhì)因數(shù)不同，對(duì)同樣的溫度變化，探頭2的影響僅為探頭1的1/20 。這就大大提高了探頭的溫度穩(wěn)定性。
3，        檢測操作時(shí)的改進(jìn)
通常檢測時(shí)，檢測儀器和參考探頭放在設(shè)備外面，而檢測探頭必須放在被測管內(nèi)，這就不可避免帶來了溫度差異，給檢測帶來誤差。因此，若有可能，應(yīng)將儀器放在設(shè)備內(nèi)部，力求檢測探頭和參考探頭所處的環(huán)境溫度一致，減少溫度的影響。
4，        實(shí)驗(yàn)室測試
探頭改進(jìn)前參數(shù)：
L=4.10mH  R=49.88Ω

將探頭加熱到不同的溫度并測出其電阻值的變化，結(jié)果如下：
t1=23℃  t2=49℃  R1=50.10Ω R2=54.30Ω   ΔR=4.2Ω
取Δt=10℃來對(duì)比計(jì)算，則ΔR10=1.6154Ω
因線圈的電感不隨溫度而改變，由此引起的線圈阻抗變化為:
ΔZ10=1.441Ω   ΔZ10/Z0=0.02567  引起的電壓變化為11.809mv
實(shí)測檢測線圈的空載電壓為447.5mv 在標(biāo)準(zhǔn)壁厚下電壓為460.0mv，每個(gè)壁厚臺(tái)階（0.5mm）引起的電壓變化為1.0mv。
由上面比較可知，探頭溫度變化10℃引起的漂移量約相當(dāng)于一個(gè)壁厚臺(tái)階變化的12倍！即使溫度只變化1℃（這是經(jīng)常遇到的），由此引起的漂移量也超過一個(gè)大壁厚臺(tái)階的變化量，達(dá)到0.7mm之多。這將使檢測根本無法進(jìn)行。
同樣，對(duì)我們研制的新探頭也進(jìn)行了同樣的測試，結(jié)果如下：
探頭改進(jìn)前參數(shù)：
L=1.032mH   R=3.41Ω  Z0=7.323Ω
將探頭加熱到不同的溫度并測出其電阻值的變化，結(jié)果如下：
t1=23℃  t2=52℃  R1=3.45Ω R2=3.58Ω   ΔR=0.13Ω
取Δt=10℃來對(duì)比計(jì)算，則ΔR10=0.0448Ω
   由此引起的線圈阻抗變化為:
ΔZ10=0.021Ω   ΔZ10/Z0=0.0028676  引起的電壓變化為0.255mv
實(shí)測檢測線圈的空載電壓為93.1mv 在標(biāo)準(zhǔn)壁厚下電壓為89.4mv，每個(gè)壁厚臺(tái)階（0.5mm）引起的電壓變化為0.2mv。

由上面比較可知，探頭溫度變化10℃引起的漂移量約相當(dāng)于一個(gè)壁厚臺(tái)階變化量，即約為0.5mm。即在同樣條件下，改進(jìn)后的探頭由溫度變化引起的漂移量只是原來舊探頭的1/12。大大提高了探頭的溫度穩(wěn)定性。在實(shí)際檢測中，溫度突變1℃，漂移量小于0.05mm，在檢測許可范圍內(nèi)。完全不會(huì)影響正常的檢測。

總之，按照上述分析，我們改進(jìn)了各種不同規(guī)格的測厚探頭共16只，經(jīng)現(xiàn)場使用證明效果良好，在環(huán)境溫度變化劇烈時(shí)，基本不會(huì)對(duì)檢測數(shù)據(jù)造成影響，保證了測厚數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，提高了檢測速度。
四、抑制溫度效應(yīng)的最新進(jìn)展
綜上所述，由于改變了探頭的技術(shù)參數(shù)，使它的溫度穩(wěn)定性大大提高，但從檢測原理上講還是測量交流電橋的阻抗變化，因此從根本上還不能完全擺脫溫度變化帶來的影響。為此，我們又對(duì)渦流檢測的原理進(jìn)行了深入分析，并在此基礎(chǔ)上提出了一種全新的檢測理念，徹底拋棄了橋路原理，采用A-B型探頭專門用來進(jìn)行測厚,從而徹底抑制了溫度變化帶來的誤差。
其原理線路如下圖：

該探頭的檢測結(jié)構(gòu)圖如下：







在探頭的激勵(lì)線圈中通以一定功率的交變電流，在被測管中就會(huì)感應(yīng)出渦流，從而在檢測線圈中感應(yīng)出交變電壓，當(dāng)被測管壁厚發(fā)生變化時(shí)，渦流的變化也會(huì)影響到檢測線圈感應(yīng)電壓的變化，將這一變化電壓放大輸出就可測出管壁厚度的變化。
檢測線圈的感應(yīng)電壓如下：
根據(jù)電磁感應(yīng)定律，檢測線圈感應(yīng)電壓為   ，經(jīng)推導(dǎo)后可得到：
     （空心線圈 ）
取幅值   
     
  
所以，最大值   伏
式中： E～檢測線圈的感應(yīng)電壓  伏特
       f ～激勵(lì)電流頻率  Hz
       n ～檢測線圈圈數(shù)
       D ～檢測線圈有效直徑  cm
       H ～檢測線圈處的有效磁場強(qiáng)度  奧斯特
根據(jù)公式進(jìn)行分析，當(dāng)儀器選定，探頭也選定以后，只有磁場強(qiáng)度 為變量，它主要受到儀器檢測頻率、輸出功率和被測管有效電導(dǎo)率的影響。當(dāng)儀器檢測頻率及輸出功率選定后，基本只受到管壁厚度變化的影響。當(dāng)壁厚增加時(shí)，管壁內(nèi)的渦流加強(qiáng)，消耗的電磁功率較大，因而檢測線圈的感應(yīng)電壓就減小，反之，當(dāng)壁厚減小時(shí)，管壁內(nèi)渦流強(qiáng)度減弱，檢測線圈的感應(yīng)電壓就增大，因此，線圈電壓的變化就反映了管壁厚度的變化。這就是采用A-B型探頭測管壁厚度的基本原理。
溫度的影響：環(huán)境溫度的變化（在儀器的正常使用范圍內(nèi)）只會(huì)影響檢測線圈銅線的電阻率，從而影響線圈的電阻值和總阻抗但并不會(huì)直接影響到激勵(lì)線圈的磁場強(qiáng)度，從上述公式中也可看出，等式右端并沒有出現(xiàn)電阻 ，因此，檢測線圈電壓的改變也基本不會(huì)受到溫度變化的影響，這就是這種A-B型探頭能夠不受溫度變化的影響的理論基礎(chǔ)。

檢測靈敏度分析
由上式分析，影響檢測靈敏度的因素主要有以下幾個(gè)：
1、檢測頻率f   適當(dāng)增大激勵(lì)頻率可提高靈敏度，但頻率過高會(huì)使渦流的滲透深度降低，同時(shí)使檢測厚度的線性變差。
2、線圈圈數(shù)n  增加線圈圈數(shù)可有效增加靈敏度，但受結(jié)構(gòu)影響這也是有限度的。
3、檢測線圈平均直徑D  受到被測管內(nèi)徑的限制，還要考慮探頭耐用性，線圈的最大外徑必須要小于探頭外徑。
4、磁場強(qiáng)度H   增大激勵(lì)線圈的輸出功率，可以使磁場強(qiáng)度增加，從而可增加靈敏度，但實(shí)際上相對(duì)于一定的壁厚變化，所引起的磁場變化ΔH才是提高靈敏度的決定因素，單純增大H，并不能保證ΔH有效增大。
綜上所述，片面追求增大靈敏度沒有必要，只要相對(duì)于一定的管壁厚變化能得到一個(gè)穩(wěn)定的電壓輸出，且線性度也好即可。




實(shí)際測試：
1、        探頭參數(shù)
幾何參數(shù)：  如下圖：

2、測試儀器：
ET-556H型電腦渦流檢測儀
3、測試標(biāo)樣管：
材料 25-22-2不銹鋼  壁厚值  2.5-2.0-1.5  mm
4、儀器參數(shù)：
頻率f=2.5KHz  增益G=30   相位P=10  濾波N=10  
5、參數(shù)測試：
當(dāng)激勵(lì)頻率分別為2.5K和5.0KHz時(shí)，測試檢測線圈在不同壁厚值下的電壓值變化情況（未經(jīng)放大）如下：
                單位：  mv      
壁厚值mm        空 載        2.5mm        2.0mm        1.5mm
f = 2.5KHz        84.0        82.3        82.8        83.3
F= 5.0KHz        167.2        157.0        159.8        162.5

由以上測試結(jié)果可看出：
1）        檢測線圈的感應(yīng)電壓隨壁厚值的減小而均勻增加，且與壁厚變化成線性關(guān)系。
2）        空載時(shí)因沒有渦流存在，其感應(yīng)電壓為最大。
3）        在一定范圍內(nèi)，當(dāng)激勵(lì)頻率提高時(shí)，可有效地提高檢測線圈的輸出電壓，且電壓與頻率成線性關(guān)系。事實(shí)上這已清楚地反映在上述公式中。
4）        實(shí)驗(yàn)室測試
a)        在室溫下測試：對(duì)不同的管壁厚度值可得到明顯的信號(hào)輸出，且線性度良好。如下圖：

                    

5）        溫度變化時(shí)測試：將探頭放入溫水中，對(duì)同樣的標(biāo)樣管測試，可看出當(dāng)壁厚不變時(shí)，儀器輸出信號(hào)也不改變，仍為一條直線，說明溫度的變化對(duì)測試結(jié)果沒有任何影響。
測試數(shù)據(jù)如下：   （f=2.5KHz）        單位： mv
        空載        壁厚2.5mm        壁厚2.0mm        壁厚1.5mm
T1=15℃        83.8        82.2        82.7        83.2
T2=25℃        83.8        82.2        82.7        83.1













可以看出，在儀表測量誤差內(nèi)，檢測線圈電壓基本沒有變化。阻抗圖的變化如下：
    由以上三幅圖形可清楚地看出：
改進(jìn)前的老探頭，當(dāng)溫度變化時(shí)光點(diǎn)的漂移量非常大，實(shí)際上檢測根本無法進(jìn)行。
改進(jìn)后的探頭當(dāng)溫度變化同樣數(shù)值時(shí)，阻抗平衡點(diǎn)仍有微小的變化，也即溫度對(duì)檢測有影響但不大，可以保證在允許的誤差范圍之內(nèi)。
A-B 型探頭當(dāng)溫度變化時(shí)光點(diǎn)沒有任何可察覺的變化，也即溫度的變化對(duì)壁厚測量沒有任何影響。
說明：以上三幅圖形為了便于比較，溫度變化選定為10℃，實(shí)際上是不可能達(dá)到這樣大的。
5) 現(xiàn)場應(yīng)用效果
改進(jìn)前的探頭由于現(xiàn)場的微小溫度變化就會(huì)帶來較大誤差，因而實(shí)際上在現(xiàn)場無法使用。
采用最新型的A-B探頭，由于從原理上擺脫了溫度的影響，又因?yàn)樗恍枰獏⒖继筋^，也減小了不必要的干擾，因而在各種不同的檢測環(huán)境下都能地進(jìn)行檢測且得到的數(shù)據(jù)都準(zhǔn)確可靠。
經(jīng)改進(jìn)后的橋路探頭由于對(duì)溫度變化不敏感，在一般的檢測環(huán)境下都能夠正常使用，即使在較特殊的大溫差環(huán)境下，只要采取一些特定措施，也能把溫度效應(yīng)減到最小，完全能夠滿足現(xiàn)場的使用。

向樓主問好，多謝你上次的電話答復(fù)！

汪工，您好，您發(fā)的帖子中的圖片看不到啊

yanyingjuanli 發(fā)表于 2014-11-13 23:11
汪工，您好，您發(fā)的帖子中的圖片看不到啊

傳不上去

汪工，請教您一個(gè)問題，我看到一些教材上寫到：“電導(dǎo)率和頻率對(duì)阻抗的影響是一致的，即電導(dǎo)率增加導(dǎo)致阻抗沿阻抗平面分析圖沿切線向下移動(dòng)，頻率增加也導(dǎo)致阻抗沿阻抗平面分析圖沿切線向下移動(dòng)。”但又看到說：“電導(dǎo)率增加導(dǎo)致阻抗沿阻抗平面分析圖沿切線向下移動(dòng)，頻率增加也導(dǎo)致阻抗沿阻抗平面分析圖沿切線向上移動(dòng)。”請您幫忙看一下這兩種說法哪個(gè)正確？謝謝

汪工，請教您一個(gè)問題，我看到一些教材上寫到：“電導(dǎo)率和頻率對(duì)阻抗的影響是一致的，即電導(dǎo)率增加導(dǎo)致阻抗沿阻抗平面分析圖沿切線向下移動(dòng)，頻率增加也導(dǎo)致阻抗沿阻抗平面分析圖沿切線向下移動(dòng)。”但又看到說：“電導(dǎo)率增加導(dǎo)致阻抗沿阻抗平面分析圖沿切線向下移動(dòng)，頻率增加也導(dǎo)致阻抗沿阻抗平面分析圖沿切線向上移動(dòng)。”請您幫忙看一下這兩種說法哪個(gè)正確？謝謝

f/fg∝σ，這里只是因?yàn)閒g∝1/σ，所以f對(duì)阻抗的影響與σ對(duì)阻抗的影響是一直的。

初學(xué)者報(bào)道

初學(xué)者報(bào)道

汪冬兵 發(fā)表于 2014-11-19 08:32
f/fg∝σ，這里只是因?yàn)閒g∝1/σ，所以f對(duì)阻抗的影響與σ對(duì)阻抗的影響是一直的。 ...

謝謝汪工的答復(fù)，那就是說電導(dǎo)率增加或者試驗(yàn)頻率增加，都會(huì)導(dǎo)致阻抗值沿曲線切線向下移動(dòng)。