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      [討論] JB/T4730.2(射線)討論區

          [復制鏈接]
      101#
      劉恩凱 | 2012-9-4 16:18:06 | 只看該作者
      縱縫雙壁單影透照定位標記的放置問題

          規格尺寸為外徑為560mm,長為2000mm的筒體,進行卷板、焊接,所形成的縱縫進行100%的射線檢測。由于筒體的直徑太小,人體無法進入筒體內部放置膠片,所以,我們選擇雙壁單影法進行射線檢測。在4730標準中的透照方式圖中,有此類縱縫的透照方式。

           但是,實際檢測時,搭接標記只能放在膠片側,可是,如果搭接標記放在膠片側,那么就會造成漏檢,也就是底片上沒有搭接長度。此處與4730標準附錄G1的規定正好違背。但是,搭接標記且只能放在膠片側,因為空間的限制。標準對此種情況的規定還是空白的。在射線教材中有這么一句話:“當搭接標記放在膠片側時,底片的有效評定長度為搭接標記之間的長度加上搭接長度”,這樣就解釋了該種情況的處理方式。在ASME  V卷中的射線檢測部分中,T-275中就對于替代射線源側標記的方法進行了說明,實際跟我們教材上所講的搭接標記是一個道理,但是ASME標準對這點進行了說明。

      個人想法!如有錯誤請溝通。
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      102#
      Endlesslove | 2012-9-11 08:22:49 | 只看該作者
      {:soso_e179:}
      103#
      585858 | 2012-12-10 21:02:34 | 只看該作者
         其實ASME圓形缺陷評定圖譜只是舉例,在實際評片中是不能進行比對的,如每張片子都進行比對是無法評片的。具體圓形缺陷的評定應按圓形缺陷評定條款執行。感覺不算太麻煩。記住各圓形缺陷的定義。
      104#
      585858 | 2012-12-11 21:10:45 | 只看該作者
          JB.T4730.3-2005-4.2中。P78.表7.單個缺陷質量分級。在鍛件檢測中,如果缺陷深度小于3N時,按P77.4.2.8.1中--對于3倍近場區內的缺陷,可采用距離--波幅曲線來確定缺陷當量。而表7是用Φ4+db來表示,是否合適?是否可考慮當缺陷深度小于3N時,用當量范圍來表示,因為在該區域的缺陷當量 是用距離--波幅曲線來確定。例如單個缺陷Ⅲ級,Φ4+(﹥8db--12db)是否可采用(Φ6.34--Φ8)表示。本人感覺,當缺陷 深度大于 3N時,用Φ4+db,當缺陷深度小于3N時用當量范圍表示,這樣表示較規范。不知理解是否正確?僅供參考。另外JB.T4730.3-2005--6.P104表29,斜探頭K值的選擇,表中探頭K值是否標注反了,根據管壁厚度應該為:3.0--2.5;2.5--2.0;2.0--1.5.而不應該是:2.5--3.0;2.0--2.5;1.5--2.0.
      105#
      585858 | 2012-12-11 21:24:52 | 只看該作者
          沒注意將UT問題發在RT討論區里。
      106#
      流金江河 | 2013-2-19 14:20:43 | 只看該作者
      K值問題,應該好好考慮,現行標準對縱縫的要求比環縫嚴,其實環縫橫向裂紋更危險,建議把縱縫的K值應放寬,或者取消K值。前面有人也探討過。
      107#
      wjfsycg | 2013-3-10 08:17:25 | 只看該作者
      {:soso_e179:}
      108#
      wjfsycg | 2013-3-22 08:49:09 | 只看該作者
      {:soso_e100:}
      109#
      xcb526 | 2013-4-18 08:38:35 | 只看該作者
      征求意見稿網上怎么還沒有出來呢?
      110#
      lhexuli | 2013-5-6 12:11:25 | 只看該作者
      對NB/T47013.2意見稿中4.3.2條 射線檢測工藝文件驗證看法:
            當f一項參數改變時,檢測工藝文件必須進行修訂并重新驗證;是否需要?
             本人認為:在其它參數不變時,f參數改變實際就是F改變了,這樣可通過平方反比定律對曝光量進行換算,獲得新的曝光量進行透照,可不必對檢測工藝文件進行修訂和重新驗證。
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