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哪有什么三八線的說法！都有理論依據(jù)的

wuyongshou 發(fā)表于 2015-10-6 19:21
根據(jù)UT教材P61頁用相似三角形計(jì)算出來的

斜探頭水平聲束的求法 我并不贊同你套用直探頭聲場列式

wuyongshou 發(fā)表于 2015-10-6 19:21
根據(jù)UT教材P61頁用相似三角形計(jì)算出來的

特種設(shè)備的教材將直探頭聲場的 未擴(kuò)散區(qū) 列式為1.64N 實(shí)際直探頭聲場的未擴(kuò)散區(qū)是 1N 左右，還有限制條件“對于反射體的直徑必須大于壓電晶片面積的百分之六十”
實(shí)際這個(gè)公式的推導(dǎo)  至少我的方法比較復(fù)雜 所以這里不在列舉

大陸 發(fā)表于 2015-10-2 15:26
第一個(gè)公式以前姚志忠老師講過，主要是考慮在聲程S試塊寬度不小于該處聲束寬度。
第二個(gè)化式是晶片邊緣與工 ...

樓主確定是小于0.5mm？

yanyingjuanli 發(fā)表于 2015-10-7 19:35
樓主確定是小于0.5mm？

是的

天空 發(fā)表于 2015-10-7 20:34
是的

樓主厲害

天空 發(fā)表于 2015-10-1 16:13
首先是曲率半徑R≤W(平方)/4 怎么推導(dǎo)出來的
然后試塊寬度為什么要b≧2λs/D 意義是什么？ ...

問題一：確實(shí)是采用間隙推導(dǎo)而出，但是不是應(yīng)該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護(hù)膜等情形？
問題二：引自EN 583規(guī)范，這是具備長橫孔反射特性的條件，但是大家知道我們有6分貝擴(kuò)散角還有20分貝擴(kuò)散角....，到底應(yīng)該用哪個(gè)角度？為何？

丁老師您好，這兩個(gè)問題我是這么看待的，您看是否正確。
第一個(gè)問題：
確實(shí)是采用間隙推導(dǎo)而出，但是不是應(yīng)該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護(hù)膜等情形？
我認(rèn)為這個(gè)問題的前提應(yīng)該是：在采用相同耦合劑，相同晶片保護(hù)膜等一系列相同的參數(shù)條件下，平板對接時(shí)探頭接收的回波聲壓分貝數(shù)比晶片邊緣與工件間間隙大于0.5mm時(shí)探頭接收的回波聲壓數(shù)高出了至少3分貝，此時(shí)應(yīng)該考慮采用同曲率的試塊制作DAC曲線。
第二個(gè)問題：
引自EN 583規(guī)范，這是具備長橫孔反射特性的條件，但是大家知道我們有6分貝擴(kuò)散角還有20分貝擴(kuò)散角....，到底應(yīng)該用哪個(gè)角度？為何？
我認(rèn)為這里的擴(kuò)散角并不是從6dB、20dB考慮的，特種設(shè)備第二版將擴(kuò)散角分為兩種，您問題中提到的是與聲壓幅值有關(guān)的擴(kuò)散角。
而根據(jù)公式2λs/D逆向推導(dǎo)，這個(gè)公式推導(dǎo)出來的擴(kuò)散角是“第一零值發(fā)散角”

丁老師您好，這兩個(gè)問題我是這么看待的，您看是否正確。
第一個(gè)問題：
確實(shí)是采用間隙推導(dǎo)而出，但是不是應(yīng)該還的考慮不同的耦合劑、不同的晶片保護(hù)膜等情形？
我認(rèn)為這個(gè)問題的前提應(yīng)該是：在采用相同耦合劑，相同晶片保護(hù)膜等一系列相同的參數(shù)條件下，平板對接時(shí)探頭接收的回波聲壓分貝數(shù)比晶片邊緣與工件間間隙大于0.5mm時(shí)探頭接收的回波聲壓數(shù)高出了至少3分貝，此時(shí)應(yīng)該考慮采用同曲率的試塊制作DAC曲線。
第二個(gè)問題：
引自EN 583規(guī)范，這是具備長橫孔反射特性的條件，但是大家知道我們有6分貝擴(kuò)散角還有20分貝擴(kuò)散角....，到底應(yīng)該用哪個(gè)角度？為何？
我認(rèn)為這里的擴(kuò)散角并不是從6dB、20dB考慮的，特種設(shè)備第二版將擴(kuò)散角分為兩種，您問題中提到的是與聲壓幅值有關(guān)的擴(kuò)散角。
而根據(jù)公式2λs/D逆向推導(dǎo)，這個(gè)公式推導(dǎo)出來的擴(kuò)散角是“第一零值發(fā)散角”

天空 發(fā)表于 2015-10-2 04:52
我覺得b≧2λs/D 后者應(yīng)該是聲束的寬度 這個(gè)公式主要是保證了 試塊中的通孔長度大于聲束的寬度 保證參考 ...

我和你的理解是一樣的